Figura 8: Junção PN e a região de depleção. Imediatamente após a formação da junção, uma diferença de potencial positiva é gerada entre os lados n e p. Essa barreira de potencial previne a continuação do transporte de portadores através da junção pn não polarizada.
Quando uma junção P-N é formada, em função da dopagem do semicondutor, no lado N da junção existe uma alta concentração de elétrons livres (portadores com carga negativa), enquanto no lado P existe uma alta concentração de buracos (ou lacunas, portadores com carga positiva).
A camada de depleção pára de aumentar quando a sua diferença de potencial se iguala à tensão da fonte. Bandas de energia: o A camada de depleção torna-se maior até que a sua diferença de potencial se iguale à tensão da fonte. o Quando isto ocorre, os elétrons livres e as lacunas param os seus movimentos.
Logo após a formação da junção pn, alguns elétrons livres se difundem do semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p. O mesmo processo ocorre com algumas lacunas existentes no semicondutor tipo p que difundem para o semicondutor tipo n.
A barreira de potencial consiste numa região contendo um máximo de potencial que impede uma partícula que se encontre num dos lados de atravessar para o outro lado, isto é, de atravessar para uma região cujas forças que predominam na interação entre as partículas são de carácter repulsivo.
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Barreira interna de potencial
Quando a junção é formada, ocorre uma difusão de elétrons do cristal tipo N ao P e dos buracos (ou lacunas) do cristal tipo P ao N. Portanto, o material do tipo N que era inicialmente neutro, começa a ficar com uma deficiência de elétrons e consequentemente com carga positiva.
elétrons livres são portadores majoritários e as lacunas são portadores minoritários. chamados de impurezas aceitadora, será produzido um semicondutor do tipo P (positivo) pelo falta de um elétron nessa estrutura. as lacunas são portadores majoritário e os elétrons livres são portadores minoritários.
As lacunas agem como se fossem cargas positivas: indicadas com o sinal mais. elétrons de valência até a banda de condução.
Desaparecimento de um elétron livre e de uma lacuna é chamado recombinação.
O que é e como funciona um Diodo de Junção? ... Ao juntarem-se, as lacunas do lado P atraem o elétron que está sobrando no lado N, equilibrando o diodo, já que, segundo as leis da física, cargas opostas atraem-se. Tal ato chama-se recombinação.
Com a movimentação dos portadores majoritários de ambos os lados da junção, no processo de recombinação a região de depleção cria uma barreira de potencial, favorecendo o processo de deriva que irá se opor ao processo de difusão.
Características Elétricas Diodos de Junção
– É estabelecida quando v for positiva – A relação tensão-corrente será: IS: constante para dada temperatura. Relacionada aos parâmetros físicos dos diodo. É chamada corrente de escala ou corrente de saturação.
A corrente de difusão resulta da diferença de concentração dos portadores de carga e da difusão térmica aleatória. A densidade do fluxo de difusão é proporcional ao gradiente de concentração.
Devido ao fenômeno da difusão, assim que a junção PN é formada, uma migração de portadores de um cristal para o outro ocorre, ou seja, elétrons do material tipo n irão se deslocar para o material tipo p, e as lacunas farão o caminho contrário.
Visualmente percebem-se três regiões: emissor, base e coletor. O emissor é dopado fortemente, pois dele partem os elétrons para a outra região, a base. Na base, que é fina e fracamente dopada, a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passa para o coletor.
O diodo Zener pode funcionar polarizado diretamente ou inversamente. Quando está polarizado diretamente, funciona como outro diodo qualquer, não conduz corrente elétrica enquanto a tensão aplicada aos seus terminais for inferior a aproximadamente 0,6 Volts no diodo de silício ou 0,3 Volts no diodo de germânio.
Quanto mais alta é a temperatura ambiente, mais os átomos no cristal de silício vibram o que pode ocasionar o deslocamento de um elétron da órbita de valência. Isso ocorre porque ele ganha energia suficiente para se deslocar para outra órbita. lacuna.
Em física, química e engenharia eletrônica, um buraco de elétron (muitas vezes chamado simplesmente de buraco ou lacuna) é a falta de um elétron em uma posição onde um poderia existir em um átomo ou estrutura atômica.
A lacuna ou buraco deixado na ligação rompida na BV também pode contribuir para a condução da seguinte maneira: um elétron mais profundo (mais interno) de uma ligação vizinha da BV pode mover-se para aqueles Page 5 401 níveis vagos pode saltar para essa lacuna, o que é equivalente à transferência de carga positiva em ...
Nesta situação, os elétrons serão portadores majoritários e as lacunas, portadores minoritários. Como a condução elétrica deste material será feita predominantemente por cargas negativas (elétrons), o mesmo será chamado de material tipo n (de negativo).
O silício e o germânio são os semicondutores mais utilizados no mercado.
Órbita do elétron da banda de condução de um átomo pode interceptar a órbita da lacuna de outro. Desaparecimento de um elétron livre e de uma lacuna é chamado recombinação. Quando ocorre a recombinação, a lacuna não se desloca mais para lugar algum, ela desaparece.
Assim podemos dizer que num semicondutor do tipo p (n) os buracos (elétrons) são os portadores de carga majoritários e os elétrons (buracos) os minoritários.
Tipos de semicondutores
Eles podem ser de condução intrínseca ou condução extrínseca. Na condução intrínseca, os semicondutores recebem energia vinda do calor, luz ou tensão elétrica. Na condução extrínseca, os semicondutores recebem carga negativa por meio da inserção de outros elementos.
Estes tipos de materiais (tipo P) são caracterizados pela grande falta de elétrons, ou seja, pelo número excessivo de lacunas. Neste caso, as lacunas são chamadas de portadores majoritários e os elétrons de portadores minoritários.
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