Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada aplicando-se uma tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo uma barreira é formada na camada tipo P, expandindo-a e estreitando a passagem da corrente no canal N.
O transistor de efeito de campo (FET – Field Effect Transistor) funciona através de um campo elétrico em sua junção. Ele é bastante utilizado em amplificadores, como chave ou controle de corrente em uma carga, assim como o TBJ já apresentado aqui. O FET é encontrado em 2 tipos básicos, canal N e canal P.
Construção do JFET Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N é mais utilizado.
O nível de VGS que resulta em ID = 0 mA é definido por VGS = Vp, com Vp sendo uma tensão negativa para dispositivos de canal n, e uma tensão positiva para JFETs de canal p.
Elemento com três terminais; – Regiões análogas (emissor, base e coletor com fonte, porta e dreno).
Nesse circuito o JFET funciona como um resistor variável atuando sobre o ganho do amplificador. A faixa de atenuações obtida vai depender da resistência Rds(on) obtida com as diversas tensões de controle aplicadas à comporta. Na figura 8 temos um circuito amplificador em que o ganho de tensão é controlado externamente.
Um transistor FET pode ser polarizado com uma bateria separada. Um transistor FET pode ser polarizado com uma fonte de alimentação separada. Uma tensão de controle automático de volume (ou controle automático de ganho) pode ser usada para polarizar um transistor FET.
Transistores de Efeito de Campo (FETS) Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrente que circula pelo terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave.
JFET canal N. JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica.
Se o multímetro medir um valor entre 0,3V e 0,7V no sentido direto e OL. Ou 1—- no sentido reverso, está indicando que o MOSFET está bom.
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