O excesso de cargas negativas pode ser obtido introduzindo-se elementos com tal impureza com mais elétrons na camada de valência que os do material semicondutor que serve de base. É a chamada dopagem. Essas impurezas são denominadas doadoras e o material obtido é chamado de semicondutor tipo N.
Semicondutores do tipo n
Um semicondutor extrínseco que foi dopado com átomos de doadores de elétrons é chamado de semicondutor do tipo n, porque a maioria dos portadores de carga no cristal são elétrons negativos.
Estes tipos de materiais (tipo P) são caracterizados pela grande falta de elétrons, ou seja, pelo número excessivo de lacunas. Neste caso, as lacunas são chamadas de portadores majoritários e os elétrons de portadores minoritários.
– Silício dopado é conhecido como um semicondutor do tipo-n, – n significa negativo. Átomos pentavalentes são chamados átomos doadores • Exemplos de impurezas doadoras: arsênio, o antimônio e o fósforo.
Tipo N – São adicionados ao silício átomos de fósforo ou arsênio. Esses elementos possuem cinco elétrons na sua camada de valência, porém, ao serem acrescentados à rede cristalina do silício, não é possível que todos esses elétrons estabeleçam ligações.
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N: ocorre com a adição de fósforo ou arsênico ao silício. Tanto o arsênico quanto o fósforo possuem cinco elétrons na camada de valência.
O semicondutor dopado com uma impureza doadora é denominado do tipo N. ... Corresponde aos elementos químicos que possuem três elétrons na última camada, que se colocados na estrutura do semicondutor, terão três elétrons envolvidos em ligações covalentes (falta um, o que implica na formação de um buraco).
Tipo N - Na dopagem tipo N, o fósforo ou o arsênico é adicionado ao silício em pequenas quantidades. O fósforo e o arsênico possuem cinco elétrons externos cada um, de forma que ficam fora de posição quando entram no reticulado de silício. O quinto elétron não tem a que se ligar, ganhando liberdade de movimento.
Tipos de semicondutores
Eles podem ser de condução intrínseca ou condução extrínseca. Na condução intrínseca, os semicondutores recebem energia vinda do calor, luz ou tensão elétrica. Na condução extrínseca, os semicondutores recebem carga negativa por meio da inserção de outros elementos.
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