O 2N3055 é um transistor de baixa frequência, ou seja, consegue-se controlar correntes elevadas, sacrificando-se sua velocidade. Assim, este transistor não consegue operar em frequências que estejam muito acima de algumas dezenas de quilohertz.
O transistor bipolar de junção (TBJ) possui em sua forma construtiva três terminais, sendo eles a base, o coletor e o emissor. ... Esses transistores são os únicos que são ativados pela entrada de corrente em sua base. A baixa impedância (ou resistência) permite que a corrente flua através da base do transistor.
O MJ2955 é o transístor complementar do 2N3055.
Use um multimetro analogico na escala de x10, procure a base e então: Com uma pontera na base e a outra em cada uma das outras duas deve ir duas vezes próximo de 5 e invertendo não deve se mover.
Além disso, tanto os transistores bipolares quantos os transistores de efeito de campo são usados para outras diversas finalidade e em locais distintos, tais como osciladores, amplificadores, relés de estado sólido, portas lógicas e outras aplicações!
TIP3055 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search. Type Designator: TIP3055. Material of Transistor: Si. Polarity: NPN. Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 90 W. Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 100 V. Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 70 V. Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 7 V.
Here I am going to share the Power Amplifier circuit which uses the TIP3055 and TIP2955 transistor as the final power amplifier with power output up to 140W RMS.
1. DC Current Gain – hFE = 20-70 @ IC = 4.0 Adc 2. Collector−Emitter Saturation Voltage – VCE (sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc 3. Excellent Safe Operating Area 4. These are Pb−Free Devices* 1. Collector-Emitter Voltage : VCEO = 60 Vdc 2. Collector-Emitter Voltage : VCER = 70 Vdc 3. Collector-Base Voltage : VCB = 100 Vdc 4.
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