Cada par íon negativo – íon positivo na junção é chamada de dipolo. Como número de dipolos tende a aumentar, a zona próxima à junção fica vazia de portadores (elétrons livres e lacunas) sendo conhecida como camada de depleção.
Região de depleção. O diodo basicamente é formado por uma junção P-N, onde existem portadores (negativos e positivos), íons fixos (de dopantes ou contaminantes), átomos constituintes do material ou do substrato utilizado.
Uma junção P-N é produzida quando dois semicondutores do tipo P e do tipo N são ligados de forma que se mantenha a continuidade do reticulado cristalino. O diodo de junção é um elemento básico para quase todos os dispositivos semicondutores que usam uma junção P-N. ...
Definição: A barreira potencial no diodo de junção PN éa barreira na qual a carga requer força adicional para atravessar a região. Em outras palavras, a barreira na qual o transportador de carga parou pela força obstrutiva é conhecida como barreira potencial.
Estas duas regiões em torno da interface da junção forma uma região chamada de região de depleção (falta de portadores) ou região de carga espacial.
o Quanto maior a polarização reversa, maior torna-se a camada de depleção. A camada de depleção pára de aumentar quando a sua diferença de potencial se iguala à tensão da fonte. Bandas de energia: o A camada de depleção torna-se maior até que a sua diferença de potencial se iguale à tensão da fonte.
A junção pn é a junção básica dos diodos bem como uma das junções integrantes da grande maioria dos dispositivos semicondutores. ... 10.1, a junção pn é formada por um bloco semicondutor onde temos a junção de uma região p com uma região n. p Si n Si Fig. 10.1 Esquema de uma junção pn em silício.
Imediatamente após a formação da junção pn, aparece uma barreira de potencial que é positiva do lado n e negativa do lado p da junção. A tensão VB proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo, depende do material utilizado na sua fabricação.
A barreira de potencial consiste numa região contendo um máximo de potencial que impede uma partícula que se encontre num dos lados de atravessar para o outro lado, isto é, de atravessar para uma região cujas forças que predominam na interação entre as partículas são de carácter repulsivo.
o Esta região é chamada de camada de depleção. potencial; A 25°C, esta barreira de potencial é aproximadamente igual a 0,7 V para os diodos de silício; Diodo de germânio tem barreira de potencial de 0,3 V.
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