Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrente que circula pelo terceiro terminal. ... O controle é baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle.
O nível de VGS que resulta em ID = 0 mA é definido por VGS = Vp, com Vp sendo uma tensão negativa para dispositivos de canal n, e uma tensão positiva para JFETs de canal p.
Para verificar se o MOSFET ligou, teste os terminais entre Dreno e Source com um multímetro na posição de diodo, conforme a figura a seguir: Se a tensão for próxima de 0V indica que o transistor ligou, pois existe condução entre os terminais.
FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção.
A região de bloqueio é caracterizada pelo estado bloqueado do transistor MOSFET devido à ausência da tensão VGS. Ressalta-se, porém, que se a tensão dreno-source for positiva, uma corrente de fuga insignificante pode circular pelo dreno.
Analogamente, o FET pode ser usado, quer como amplificador, quer como interruptor. O nome do transístor de efeito de campo deriva da essência do seu princípio de funcionamento. De facto, mostraremos que o mecanismo de controlo da corrente é baseado num campo eléctrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controlo.
Transistores, funcionamento e aplicações! Geralmente os transistores são feitos de silício ou germânio, e são construídos a partir da união de três materiais semicondutores, que são obtidos pela adição de impurezas.
A principal diferença entre os dois tipos de transistores é o fato de o TBJ ser um dispositivo controlado por corrente, enquanto que FET é um dispositivo controlado por tensão, ou seja, ele tem a capacidade de controlar o valor da corrente de acordo com a tensão que é aplicada no gate, que é o seu terminal de controle.
Admitiremos que é esse o caso na descrição do funcionamento do MOSFET, a seguir desenvolvida. Desta forma, o substrato poderá ser considerado como não tendo nenhum efeito no funcionamento do dispositivo, e o MOSFET poderá ser tratado como um dispositivo de três terminais, i.e., a porta (G), a fonte (S) e o dreno (D).
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