Os elétrons são portadores majoritários, enquanto os orifícios são portadores minoritários em material do tipo n.
Isso significa que em um material do tipo n existirá um grande número de elétrons livres e um pequeno número de lacunas. Neste caso, chamamos os elétrons de portadores majoritários e as lacunas de portadores minoritários.
A este cristal chamamos semicondutor do tipo p. Assim podemos dizer que num semicondutor do tipo p (n) os buracos (elétrons) são os portadores de carga majoritários e os elétrons (buracos) os minoritários. Em baixas temperaturas os portadores minoritários têm pouca influência na condutibilidade total.
também chamados de impurezas doadora, será produzido um semicondutor do tipo N (negativo) pelo excesso de um elétron nessa estrutura. elétrons livres são portadores majoritários e as lacunas são portadores minoritários.
Lacunas são os portadores majoritários num semicondutor tipo-p, • Elétrons de banda de condução constituem os portadores minoritários. Átomos trivalentes também são conhecidos como átomos aceitadores • Cada lacuna que eles fornecem pode aceitar um elétron durante a recombinação.
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Os semicondutores do tipo P, por sua vez, são dopados com átomos que contêm três elétrons em sua última camada, como o elemento índio (In) ou o boro (B). Os três elétrons que estão nas últimas camadas vão ser compartilhados com o elemento químico semicondutor.
Existem dois tipos de impurezas usadas: N: ocorre com a adição de fósforo ou arsênico ao silício. ... P: nesta dopagem, há adição de boro ou gálio ao silício. Ambos possuem três elétrons na camada de valência.
Os elétrons são portadores majoritários, enquanto os orifícios são portadores minoritários em material do tipo n.
Semicondutores do tipo n
Um semicondutor extrínseco que foi dopado com átomos de doadores de elétrons é chamado de semicondutor do tipo n, porque a maioria dos portadores de carga no cristal são elétrons negativos.