O processo de dopagem de semicondutores refere-se à adição, ao cristal intrínseco, de pequena quantidade de impureza, com propriedades adequadas, de forma a afetar o comportamento elétrico do semicondutor da maneira desejada.
A dopagem é um processo químico no qual átomos estranhos são introduzidos na estrutura cristalina de uma substância. Em um cristal semicondutor a dopagem é geralmente realizada para alterar suas propriedades elétricas.
A dopagem é um processo tecnológico que tem por finalidade introduzir átomos estranhos (impureza) na estrutura cristalina de uma substância pura como o germânio e o silício, por exemplo.
A dopagem no diodo é feita pela introdução de elementos dentro de cristais tetravalentes, normalmente feitos de silício e germânio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes, obtêm-se átomos com sete elétrons na camada de valência, que necessitam de mais um elétron para a neutralização (cristal P).
Doping - Tipos de Doping - Dopagem Química de Materiais - Como Ocorre a Dopagem em Semicondutores. O carbono, o silício e o germânio (que assim como o silício, também é um semicondutor) possuem uma propriedade única em sua estrutura de elétrons, cada um possui quatro elétrons em sua órbita mais externa.
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As substâncias dopantes estão divididas em cinco classes: analgésicos narcóticos, estimulantes, agentes anabolizantes, diuréticos e hormônios peptídicos e análogos.Analgésicos Narcóticos. ... Estimulantes. ... Agentes Anabólicos. ... Diuréticos.
O processo de dopagem de semicondutores refere-se à adição, ao cristal intrínseco, de pequena quantidade de impureza, com propriedades adequadas, de forma a afetar o comportamento elétrico do semicondutor da maneira desejada.
P: nesta dopagem, há adição de boro ou gálio ao silício. ... Na polarização direta, elétrons livres são cedidos à zona N e elétrons da camada de valência da zona P são atraídos. O diodo polarizado conduz eletricidade. A polarização inversa PN ocorre se polo negativo da bateria for conectado à P e o pólo positivo à N.
Um semicondutor extrínseco , ou semicondutor dopado , é um semicondutor que foi dopado intencionalmente com o objetivo de modular suas propriedades elétricas, ópticas e estruturais.
Lacunas e elétrons livres circulam na direção dos polos da fonte afastando-se da junção e assim aumentando muito a camada de depleção. O aumento da camada cessa quando a tensão da barreira de potencial se iguala à tensão reversa aplicada, cessando o movimento dos portadores.
Algumas aplicações:
É um componente eletrônico que permite a passagem de corrente elétrica em apenas um sentido. É muito utilizado para retificar sinal alternado, retificação de Sinal de Áudio, detecção de sinal de rádio e etc.
Os semicondutores não conseguem conduzir corrente elétrica em condições químicas normais. Os átomos dos semicondutores são tetravalentes, ou seja, possuem apenas quatro camadas de valência, o que torna-os elementos não estáveis.
Tipos de semicondutores
Eles podem ser de condução intrínseca ou condução extrínseca. Na condução intrínseca, os semicondutores recebem energia vinda do calor, luz ou tensão elétrica. Na condução extrínseca, os semicondutores recebem carga negativa por meio da inserção de outros elementos.
elétrons livres são portadores majoritários e as lacunas são portadores minoritários. chamados de impurezas aceitadora, será produzido um semicondutor do tipo P (positivo) pelo falta de um elétron nessa estrutura. as lacunas são portadores majoritário e os elétrons livres são portadores minoritários.
São aqueles que estão numa situação intermediária, ou seja, em determinada situação são isolantes e em outra são condutores. Esses materiais são classificados como semicondutores. O silício e o germânio são os semicondutores mais utilizados no mercado.
Desaparecimento de um elétron livre e de uma lacuna é chamado recombinação. Quando ocorre a recombinação, a lacuna não se desloca mais para lugar algum, ela desaparece. Processo está constantemente acontecendo num semicondutor. elétrons de valência até a banda de condução.
Semicondutor dopado
Note-se que o teor relativo de impurezas — ou a razão de impureza — para o cristal dopado é expresso por 1:106 ou, como também se usa dizer, 1 ppm (uma parte por milhão). Assim, semicondutores dopados para controle exibem cerca de mil vezes mais "impurezas" que os semicondutores intrínsecos.
O diodo semicondutor é um dispositivo eletrônico feito de silício ou germânio que tem como função transformar corrente alternada em corrente contínua.
Um diodo semicondutor consiste numa junção de uma camada de semicondutor tipo n com outra de semicondutor tipo p. Num semicondutor tipo n, os portadores de carga — ou seja, as partículas que participam da condução elétrica — são elétrons livres, enquanto, num semicondutor tipo p, são buracos livres, de carga positiva.
O retificador de meia-onda consiste em um circuito para remover metade de um sinal AC (corrente alternada) de entrada, transformando-o em um sinal CC (corrente contínua). É constituído basicamente de um transformador, um diodo e uma carga.
Buracos em um metal ou semicondutor de rede cristalina podem se mover através da rede como os elétrons podem, e agir de forma semelhante às partículas carga positiva. ...
Corresponde aos elementos químicos que possuem três elétrons na última camada, que se colocados na estrutura do semicondutor, terão três elétrons envolvidos em ligações covalentes (falta um, o que implica na formação de um buraco).
Além dos esteroides, existem as substâncias estimulantes, como as anfetaminas, que podem ser utilizadas em alguns esportes para que o atleta tenha mais explosão , como na natação, no futebol e atletismo”, aponta Lyra.
Os agentes anabolizantes ou esteróides anabólicos são compostos derivados de um hormônio masculino, a testosterona. Quando administrados no organismo estes compostos entram em contato com as células do tecido muscular e agem aumentando o tamanho dos músculos.
Semicondutor extrínseco do tipo N: Os elétrons excedentes se movem pelo material. Semicondutor extrínseco do tipo P: O excesso de cargas positivas equivale à existência com facilidade de “buracos” que propiciam a movimentação de elétrons e a condução da eletricidade.
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