Um dos testes mais comuns para a prova de um IGBT é o teste dinâmico que consiste em se colocar como carga uma lâmpada de W no seu coletor e alimentar o circuito com uma tensão de até 20 VDC. Com a comporta ligada ao emissor do transistor, ele deve permanecer no corte e com isso a lâmpada apagada.
O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento.
Consiga uma caixa que caiba uma bateria de 12v/7Ah folgada. consiga também duas lâmpadas dicróicas 12v/50watts, um interruptor, alguns pedaços de fios, um dissipador compatível com o tamanho de um módulo IGBT, umas quatro abraçadeiras, duas garras jacaré e dois terminais fast on.
Uma temperatura elevada pode causar dano aos módulos de potência. A faixa de temperatura de operação do inversor deve ser respeitada. ... Um fator que influencia diretamente na temperatura de operação é a frequência de chaveamento dos IGBT.
Se o transistor estiver com Drain e Source em curto, o multímetro acusará uma tensão muito baixa, perto de 0V. Se o multímetro acusar Drain e Source em curto, existe a possibilidade do transistor já estar ligado. Para tirar a dúvida, descarrege o Gate encostando o Gate no Source.
Para verificar se o MOSFET ligou, teste os terminais entre Dreno e Source com um multímetro na posição de diodo, conforme a figura a seguir: Se a tensão for próxima de 0V indica que o transistor ligou, pois existe condução entre os terminais.
O instrumento de medida é um multímetro digital, por isso, a ponta de prova vermelha deve ser conectada na base do transistor em teste. Só lembrando que o multímetro analógico e multímetro digital tem suas pontas de prova com polaridade invertida.
O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e ...
O IGBT é uma invenção recente. A primeira geração de dispositivos desse tipo na década de 1980 e início dos anos 90 possuíam chaveamento relativamente lento e seu desligamento (corte na condução) não ocorria enquanto existisse corrente fluindo (característica conhecida na língua inglesa como latchup ).
A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de um substrato P+ (O símbolo “+” foi colocado para indicar que esta região é fortemente dopada, enquanto que o símbolo “-” indica que a região é fracamente dopada) onde é conectado o terminal de coletor (collector).
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